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💡 목차
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NOR Flash Memory
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💡 수업자료
S71143_nor_Flash.pdf
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💡 Read의 경우 SRAM과 형태가 매우 비슷하지만
Write의 경우 큰 차이점이 있음
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→ Features (특성)
- • Organized as 2M x16 (주소버스 x 데이터 버스)
- • Single 2.7-3.6V Read and Write Operations (가용 작동 범위)
- • Low Power Consumption (typical values at 5 MHz) (저전력)
– Active Current: 9 mA (typical)
– Standby Current: 3 µA (typical)
– Auto Low Power Mode: 3 µA (typical)
- • Sector-Erase Capability (섹터 단위 삭제 (2,048 워드씩 삭제))
– Uniform 2 KWord sectors
- • Block-Erase Capability (블록 단위 삭제 (32,768 워드씩 삭제))
– Uniform 32 KWord blocks
- • Fast Read Access Time (데이터 READ시 걸리는 시간)
– 70 ns
– 90 ns
- • Latched Address and Data
- • Fast Erase and Word-Program (데이터 삭제시 걸리는 시간)
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical) (섹터단위, 2048개 워드 지우는데 18ms)
– Block-Erase Time: 18 ms (typical) (블록단위, 32,768개 워드 지우는데 18ms)
– Chip-Erase Time: 40 ms (typical) (칩단위, 칩 전체 워드 지우는데 40ms)
– Word-Program Time: 7 µs (typical) (워드단위로 WRITE하는데 7us)
– Chip Rewrite Time: 15 seconds (typical) (칩 전부 새로 쓰기 15s)